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TALD-150L原子層沉積系統(tǒng)

1、最低反應(yīng)溫度≤50℃(HfO2、Al2O3); 2、均勻流場(chǎng),低溫工藝顆粒少; 3、深寬比≥70:1,保型生長(zhǎng)。


系統(tǒng)特點(diǎn):

1、最低反應(yīng)溫度≤50℃(HfO2、Al2O3);
2、均勻流場(chǎng),低溫工藝顆粒少;
3、深寬比≥70:1,保型生長(zhǎng)。

關(guān)鍵詞: TALD-150L原子層沉積系統(tǒng)

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