ALD技術(shù)

1970s-第一階段

ALD的發(fā)明
Suntola提出ALD概念并逐漸完善

1980s-1990s-第二階段

ALD的孕育與積累
ALD開(kāi)始應(yīng)用于TFT等領(lǐng)域獨(dú)特的自限制沉積模式優(yōu)勢(shì)初顯

2000s~至今-第三階段

ALD大規(guī)模應(yīng)用與爆發(fā)
ALD開(kāi)始應(yīng)用于intel處理器的high-k層并開(kāi)始大規(guī)模應(yīng)用

應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展

能源領(lǐng)域：太陽(yáng)能電池背面鈍化、光伏活性層、防腐鍍膜、超親水/疏水涂層、防塵涂層、鋰離子電池材料增效

微電子和微機(jī)電領(lǐng)域：存儲(chǔ)器件活性層、OLED封裝、納米結(jié)構(gòu)器件、微部件的防腐蝕和抗磨損

光學(xué)應(yīng)用：反射涂層和増透涂層，透鏡保護(hù)、光柵器件、曲面鍍膜
其他：膜結(jié)構(gòu)和多孔結(jié)構(gòu)催化活性層、高效貴金屬活性層

聯(lián)系信息

浙江省嘉興市南湖區(qū) 亞太路778號(hào)9號(hào)樓南一區(qū)

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